仪器试运行（东校园）| 200kV冷场发射透射电镜（Talos F200X G2）

      分析测试中心东校园分中心200 kV冷场发射透射电镜已经安装调试完毕，即日起至2025年5月31日拟进入试运行阶段；同时为更好地满足校内师生的测试需求，拟对校内持有同类型仪器自主上机操作合格证的师生，开展Talos F200X G2首批自主操作资格考核工作，考核通过获得相应资格的师生方可预约仪器进行自主上机操作。

Talos F200X G2试运行

设备名称：200kV冷场发射透射电镜 Talos F200X G2
放置地点：东校园樱园4号C座101G

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一、技术参数：

1. 电子枪：冷场发射电子枪（X-CFEG）
2. 加速电压：80 kV、200 kV 
3. TEM模式点分辨率：≤0.25 nm@200 kV；线分辨率：≤0.1nm@200 kV
4. STEM模式分辨率：≤ 0.14 nm@200 kV
5. TEM模式放大倍数50 ～ 1.05 Mx；STEM模式放大倍数：330～165 Mx
6. 能谱：Super-X 4探头无窗能谱，能谱分辨率≤136 eV (Mn-Kα)
7. 相机：底插式CMOS相机（Ceta-S）

二、开放功能：

1. 透射模式（TEM）：形貌像（明场、暗场）、高分辨像（HRTEM）、电子衍射（SAED）
2. 扫描透射模式（STEM）：高角环形暗场像（HAADF-STEM）、低角环形暗场像（LAADF-STEM）、明场像（BF-STEM）、环形明场像（ABF-STEM）、差分相位衬度成像（DPC/iDPC/dDPC-STEM）
3. 能谱EDS点分析、面分析（EDS Mapping）

三、试运行规则：

1. 试运行期间仅接受送样测试，暂不提供样品制备服务，请提前在企业微信联系黄亦老师咨询送样事宜及测试时间；2. 试运行期间通过考核获得自主操作资格的用户，可预约该仪器进行自主测试；3. 试运行期间收费标准：暂时记账，待收费标准公布后按收费标准结账。

四、样品要求：

1. 透射电镜不能直接观察含有铁钴镍等磁性元素的样品，粉末样品需包埋切片处理或使用双联网制样，块体样品需要FIB切片；
2. 高分辨样品要求厚度小于20 nm，普通碳支持膜厚度通常为10-20 nm，粉末样品制备请注意选择合适的支撑载网；
3. 制备粉末和液体样品要求样品均匀分散在支撑膜上，且能够区分载网正反面，测试前需要烘箱中干燥4小时以上，携带样品测试途中建议进行真空密封处理。

自主上机操作资格考核

一、审核条件及考核要求

        
二、考核程序

1. 报名：2025年5月15日前将《Talos F200X G2自主操作资格申请表》及自主操作使用机时证明材料、其他证明材料电子版发送至邮箱huangy887@mail.sysu.edu.cn，邮件命名标题“姓名+学院+导师+（初/中/高）级资格”，报名截止后将不再接受申请。

2. 材料审核：收到申请材料后，平台将对材料的真实性进行审核，申请通过者将安排考核，请留意邮件及企业微信通知。

3. 资格考核：本次只进行上机实操考核，上机考核时把导师签名的《资格申请表》原件交至考核老师处，考核通过者获得Talos F200X G2相应自主操作资格，并开通相应时间段的上机权限。

三、注意事项：
 

1. 赛默飞型号透射电镜与其他型号透射电镜使用界面及操作存在较大差异，本次自主操作资格考核仅限为具有赛默飞电镜使用经验的师生；